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III-V半导体的MBE生长及相关器件课题组招聘启事
2018-05-16| 文章来源:人力资源处 | 【

招聘岗位: 

    III-V族化合物半导体物理、材料和器件研究人员 2 

招聘岗位要求: 

    1、理(工)学硕士学位及以上; 

    2、具有III-V族化合物光电器件(如探测器、激光器等)研发背景,有意继续从事该方向的科学研究和产业化工作; 

    3、具备科研项目文档编写和管理经验,有较强的英语阅读和写作能力; 

    4、具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力。  

岗位待遇: 

    基本工资与福利待遇参照我们钱柜娱乐和国家规定执行,并根据工作业绩,参照行内企业水平提供相应的绩效、奖金和其他应有激励。 

招聘岗位:  

    博士后1  

岗位职责:  

  III-V族半导体光电器件及集成研究  

岗位要求:  

    1、理(工)学博士学位; 

    2、具有III-V族半导体物理、微电子学、通信等光电子器件研究背景; 

    3、有意从事科研工作,具有较强的团队合作精神,动手能力较强,有良好的英语阅读和写作能力;  

    4、具有探测器、激光器材料生长、表征或相关光电子器件集成工艺经验者将优先考虑;  

岗位待遇:  

    聘用人员工资待遇按我们钱柜娱乐相关规定执行。目前研究所博士后的基本工资为12500/月,外加课题绩效和年终奖。  

    博士后期间业绩突出者,出站后可优先被聘留所工作(可以获得苏州工业园区给予留园区工作的博士后最高30万元的安家费补贴)。  

应聘方式: 

    请应聘者将简历(简历文件名按照“毕业院校-应聘岗位-姓名”命名)、简要介绍通过邮件发送至邮箱:sllu2008@sinano.ac.cn。我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者参加面试。 

 
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